Strateġija ta 'aġġustament dinamiku għat-temperatura u l-pressjoni tat-trasferiment termali tat-tikketta tas-silikon?

Strateġija ta 'Aġġustament Dinamiku għat-Temperatura u l-Pressjoni tat-Trasferiment Termali tat-Tikketta tas-Silikonju
1. Loġika ta 'aġġustament tat-temperatura
Riskju ta 'tisħin malajr wisq: solidifikazzjoni rapida tal-linka tal-wiċċ, li tfixkel il-cross-linking tal-linka u s-silikon t'isfel, li tirriżulta f' "adeżjoni falza" (is-saff tal-wiċċ jaqa 'waqt it-test maqtugħ).
Proċess ta 'tisħin gradjent:
Stadju ta 'tisħin minn qabel (100-120 grad × 5 sekondi): Ittaffi s-silikon biex tiffaċilita l-penetrazzjoni tal-linka;
Stadju Cross-Linking (Temperatura fil-Mira × 15-25 sekondi): Vulkanizzazzjoni kompluta u reazzjonijiet ta 'vulkanizzazzjoni.
Eżempju: Għat-trasferiment tal-bracelet LSR, l-ewwel saħħan minn qabel għal 120 grad għal 8 sekondi, imbagħad saħħan sa 185 grad u żomm għal 20 sekonda.
2. Mekkaniżmu ta 'kumpens tal-pressjoni
Partijiet tal-istruttura tal-wiċċ / kumpless mgħawweġ:
Uża kontroll tal-pressjoni segmentat: Uża pressjoni aktar baxxa (bħal 1MPa) fl-istadju inizjali biex tagħmel il-film tat-trasferiment tajjeb, u mbagħad iżżid gradwalment il-pressjoni għal 2MPa biex tlesti l-cross-linking;
Uża pads tas-silikon elastiċi (ebusija 40-50 xatt a) biex tferrex il-pressjoni u tevita l-konċentrazzjoni ta 'tensjoni lokali.
Tikketta tas-silikon tal-film irqiq:
Naqqas il-pressjoni (0. 5-1 MPA) biex tevita li s-sottostrat jiġi mgħaffeġ, iżda testendi l-ħin (eż. 25 sekonda) biex tippromwovi t-tixrid.